三星10nm工藝制程CPU正式上馬

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我們都見識了三星 Galaxy S6 上那塊 14nm FinFET 工藝制程的 Exynos 7420 的殘暴性，這款處理器不管是在性能還是功耗上都完勝於市面上其他使用 20 nm FinFET 工藝制程的處理器，例如號稱高通今年最強的驍龍 810。不過三星還遠不滿足於此，今天三星電子旗下的製造部門 Samsung Foundry 的 Kelvin Low 在網上發佈了一段視頻，確認三星已經將 10nm FinFET 工藝正式加入路線圖。

這也就意味著三星已經完成 10nm FinFET 工藝的研發、設計、驗證工作。並且已經有完成品可供客戶參考，是下一代的晶片工藝標準之一，正式進入商用階段。使用 10nm FinFET 工藝的消費性電子產品將會在 2016 年正式上市。

此前三星曾經在三藩市於 2 月 22-26 日舉辦的國際固態電路會議（International Solid State Circuit Conference，ISSCC）上展示了全球首款的 10 nm FinFET 工藝晶元。三星電子半導體事業部總裁 Kim Ki-nam 在展場中表示，採用 10 nm FinFET 制程技術的晶片不但更加省電、體積也更小，是物聯網（Internet of Things，IoT）演化進程中相當重要的一步。

並不是所有的半導體廠商都有三星這麼快的速度，此前英代爾 CEO 就表示 10nm 工藝會延遲，有消息稱英代爾原定於 2016 年第二季度推出的 10nm Cannon Lake 平臺將延期到第四季度，替補緊急上陣的 14nm Kaby Lake 平臺也從 2016 年初延後到了 2016 年 9 月，這也就意味著英代爾的 10 nm FinFET 工藝要到 2017 年才能上線。

而台積電的計劃是 2016 年第四季度量產 10nm FinFET 工藝，2018 年投產 7nm 10nm FinFET 工藝。根據規劃， 台積電的 10nm、7nm 都會用上 EUV 極紫外技術，更遙遠的 5nm 也會如此，而且還會加入新的多重電子束技術(multipe e-beam)。然而這種規劃並沒有具體的技術支援，很有可能流產或者延期。

三星已經憑藉 14 nm FinFET 工藝拿下了蘋果大部分的 A9 處理器訂單，而 2016 後的 A10 處理器也將會採用三星的 10 nm FinFET 工藝。

今年年初發佈的 Galaxy S6 使用的 Exynos 7420 處理器正是採用 14 nm FinFET 工藝制程，博得業界極大地關注以及肯定。更小的制程同樣也為三星的處理器帶來了更低功耗以及更強性能。更值得人們關注的是三星目前的處理器架構也從 planar 進化到了 3D FinFET 架構上。該架構與英代爾的 Tri-gate 技術所達到的目的是一樣的，都是為了提升處理器電晶體數量，從而帶來更高的處理性能。