PCM.DSD 發表於 2015-8-6 09:56

[轉載]讓蘋果iPhone7飛起來: 閃迪,東芝新3D NAND快閃記憶體問世

日前，閃迪和東芝兩家快閃記憶體廠商不約而同，宣佈了旗下最新3D NAND技術的快閃記憶體晶片即將問世，速度將大幅提升，同時能耗將進一步降低。

閃迪和東芝宣佈開發出了世界第一款48層3D NAND快閃記憶體，採用3bit/cell多值化技術，容量為32GB。目前，閃迪方面已經開始試產“256Gbit X3”晶片，而東芝預計將於2015年9月開始供應樣片。據悉，該晶片採用了15納米工藝，比市面上最優秀的商用快閃記憶體晶片電路密度提高了2倍、存儲速度提高4-5倍，而能耗將進一步降低。並且，因為採用了3D堆疊技術，新晶片的面積將縮小，非常適合智能慧手機、平板電腦之類的設備。

目前，閃迪和東芝是蘋果iPhone6、iPhone6 Plus的主要快閃記憶體晶片供應商，而且，據消息透露，兩家廠商已經基本完成了向下一代蘋果iPhone6s、iPhone6s Plus第一階段的供貨任務。也就是說，明年iPhone7很可能會搭載上述兩家廠商的新型3D NAND快閃記憶體晶片，這將讓iPhone7在儲存能力、資料傳輸速度上獲得飛躍。
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