2015年下半年的智能手機技術發展趨勢
對比 PC 時代技術更新換代速度，移動設備的技術發展可以說非常快，基本上是以三個月為一個週期，三個月內就某一領域就會有更新的技術代替原有的技術標準。在 2015 年我們又看到了許多此前沒有見過或者是很少普及的新技術標準，而這些技術標準很有可能將會在接下來的半年時間裏被各大手機廠商所採用。USB Type-C（全新資料傳輸埠）
首當其衝的是便是 USB Type-C，全新的資料傳輸埠，這項技術標準在 2013 年 12 月 USB 3.0 推廣團隊第一次公佈，而首個採用這個標準的是諾基亞。USB Type-C 首次出現在 Android 設備上是諾基亞的平板電腦 Nokia N1 。而在今年的 3 月蘋果新品發佈會上，全新 MacBook 重新定義了連接性標準，將電源介面、USB 介面、DP 介面、HDMI 介面與 VGA 介面統一用 USB-C 來承載，更說明 USB Type-C 將會是未來的電子產品的通用標準。
今年的 6 月谷歌也宣佈 Android M 將全面擁抱 USB Type-C 埠。下一代的 Nexus 設備也將會使用全新的 USB Type-C 埠。
USB Type-C 的優點在於更加纖薄的設計、更快的傳輸速度（最高10Gbps）以及更強悍的電力傳輸（最高100W）。Type-C 雙面可插介面最大的特點是支援 USB 介面雙面插入，正式解決了 “USB 永遠插不准” 的世界性難題。
按壓式指紋識別技術
蘋果總是有引領潮流的能力，2013 年 Touch ID 誕生，也意味著帶指紋識別模組的手機將會成為未來手機市場的主流。雖然 Touch ID 是指紋識別體驗空前的好，識別速度和成功率都有很好的保證，隨著 iPhone 6 的發佈，Touch ID +NFC 的 Apple Pay 支付方案誕生，於此同時支付寶也已經支持 Touch ID 的指紋識別支付，Touch ID 作用必將迎來大爆發。
而由蘋果引領的指紋識別風暴已經席捲 Android 陣營，目前三星的 Galaxy S6、Galaxy S6 Edge 還有國內的魅族以及華為都已經在自己的旗艦機型上使用了按壓式的指紋識別模組，加上 Android Pay 以及三星自己支付方式 Samsung Pay 在第三季度將會正式上線，屆時將會有更多的機型配備指紋識別模組。而且不僅僅是旗艦機型，千元機級別的手機也有可能大規模的普及指紋識別功能。
目前指紋識別模組售價 5 美元，30 元左右，下半年下降到 4 美元。
UFS 2.0 存儲技術
在此前的測試中我們已經見識過 UFS 2.0 存儲技術的厲害，使用了 UFS 2.0 存儲技術的三星 Galaxy S6 以及 Galaxy S6 Edge 的存儲性能在各項測試中都完勝其他測試對手。UFS 存儲技術堪稱是當今高端移動設備最佳的記憶體存儲解決方案，UFS記憶體採用 “命令儲列（Command Queue）”技術，該技術常用於固態硬碟（SSD）中，通過串列介面加快命令執行速度，與採用 8 位平行介面的eMMC標準相比，資料處理速度得到大幅提高。因此，三星此次推出存儲讀取速度達到 19000 IOPS,是高端智能手機中常用的 eMMC 5.0 嵌入式記憶體（7000 IOPS）的 2.7 倍，普通高速記憶體卡（1500 IOPS）的 12 倍，其超快的處理速度將大大提升系統性能。此外，新產品的連續讀寫性能也提升到了 SSD 水平，而功耗則降低了 50%。
在傳輸性能上， UFS 2.0 有兩個版本， HS-G2 的理論帶寬就有 5.8Gbps ，也就是超過了 740MB/s ， HS-G3 更是翻了一番，達到了 11.6Gbps ，接近了 1.5GB/s 。UFS 2.0 支援 High-Speed Gear 3 高速介面和雙數據通道，使 UFS2.0 在傳輸性能上實現了突破性的飛躍。
而且慢慢會發現，UFS 2.0 快閃記憶體標準將不再是 Galaxy S6/S6 Edge 獨享的技術，SK 海力士宣佈推出自主研發的 UFS 2.0 快閃記憶體標準方案，容量有 16GB 、 32GB 、 64GB 、 128GB 等多種選擇，它是基於自家 16nm NAND Flash 和自主研發的固件和控制晶片。根據國外專家預計，UFS 2.0 在移動設備中尤其是在智能型手機上，首先將先征服高端市場，目前三星 Galaxy S6 / S6 Edge 就已經採用了 UFS 2.0 ，未來再逐漸向中低端市場擴張。而最快下半年其他品牌的旗艦則有可能使用上 UFS 2.0 技術。
LPDDR4
三星領先的不僅有存儲技術和處理器工藝，記憶體也是三星的強項。Galaxy S6 用上的 LPDDR4 記憶體在未來也會成為其中智能手機的標配。此前 LG 的 G Flex 2 也已經用上了 DDR4 記憶體。海力士方面獲得證實，G Flex 2 的確採用了最新的 LPDDR4 RAM。
最新的 LPDDR4 記憶體晶片相比上一代 LPDDR3 產品，擁有更小的電壓和更高的電源效率特點。電壓從 1.2V 降至低於 1.1V，功耗可降低超過 30%，同時傳輸效率從 1600Mbps 提升到了 3200Mbps，提升將近兩倍。得益於更高的吞吐量，更有利於手機更多先進功能的設計，比如提供超高解析度顯示環境。
實際上，兩大儲存廠商海力士和三星都表示，他們已經加強了與相關企業的合作，今年不僅主流的智能手機製造商，而且還包括中國的國產廠商，很快都將採用 LPDDR4 作為產品升級的解決方案。根據 HIS 分析機構的預計，明年採用 3GB RAM 的高端智能手機比例將佔總份額的 36% 以上。
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